Samsung 860 EVO 250GB MZ-N6E250BW
PCI-E
Чтение
550
Запись
520
Ресурс
150
Гарантия
5
РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕСТИРОВАНИЯ:
Контроллер:
Samsung MJX
DRAM кэш (МБ):
512
Тип памяти:
TLC 3D V-NAND
t=max С°:
Скорость чтения CDM (МБ/с):
561
Скорость записи CDM (МБ/с):
320
Скорость случайного 4к чтения CDM (МБ/с):
Буфер на пустом SSD (ГБ):
28
Скорость записи до буфера (МБ/c):
Скорость записи после буфера (МБ/c):
AS SSD (баллы):
3DMARK (баллы):
PCMARK10 Quick:
PCMARK10 Full: