Samsung 990 EVO Plus 1TB
PCI-E 4.0
Чтение
7150
Запись
6300
Ресурс
600
Гарантия
5
РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕСТИРОВАНИЯ:
Контроллер:
Samsung Piccolo
DRAM кэш (МБ):
Тип памяти:
TLC 3D V-NAND
t=max С°:
Скорость чтения CDM (МБ/с):
7081
Скорость записи CDM (МБ/с):
6244
Скорость случайного 4к чтения CDM (МБ/с):
92
Буфер на пустом SSD (ГБ):
112
Скорость записи до буфера (МБ/c):
5000
Скорость записи после буфера (МБ/c):
850
AS SSD (баллы):
850
3DMARK (баллы):
2580
PCMARK10 Quick:
4662
PCMARK10 Full:
1286