Samsung 850 EVO 250GB MZ-N5E250BW
PCI-E
Чтение
540
Запись
500
Ресурс
75
Гарантия
5
РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕСТИРОВАНИЯ:
Контроллер:
Samsung MGX
DRAM кэш (МБ):
512
Тип памяти:
TLC 3D V-NAND
t=max С°:
Скорость чтения CDM (МБ/с):
552
Скорость записи CDM (МБ/с):
528
Скорость случайного 4к чтения CDM (МБ/с):
Буфер на пустом SSD (ГБ):
Скорость записи до буфера (МБ/c):
Скорость записи после буфера (МБ/c):
AS SSD (баллы):
3DMARK (баллы):
PCMARK10 Quick:
PCMARK10 Full: